СТАТИЧЕСКИЙ СДВИГ УРОВНЯ ФЕРМИ И ЕГО ВЛИЯНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАХВАТА
Ключевые слова:
Ключевые слова: Аморфной гидрогенизированный кремний, фотопроводимость, Гауссовском распределении, уровень Ферми, валентной зоны, фотоэлектрический проводимости.Аннотация
Аннотация: В этой статье рассматривается статистический сдвиг уровня Ферми в зависимости от температур в a-Si:H и его влияния на фотоэлектрических параметров пленок a-Si:H. Кроме этого, показано, что этот сдвиг сильно зависит от исходных характеристик пленок a-Si:H и объяснено для пленок i-a-Si:H и слаболегированных бором a-Si:H(В) образцах за счет сдвига уровня Ферми наблюдается температурное гашения фотопроводимости.
Библиографические ссылки
Теруков Е.И., Казанский А.Г., Форш П.А., Хенкин М.В.//ФТП 2011 т.45, №4, с.518-511
Yu Kryuchenko, A.V.Savchenko and att.all//Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2012 V.15. №2, P.91-116
Опубликован
2023-08-25
Как цитировать
А.А.Ботиржонов, М.А.Усманов, & У.С.Бобохужаев. (2023). СТАТИЧЕСКИЙ СДВИГ УРОВНЯ ФЕРМИ И ЕГО ВЛИЯНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАХВАТА. Лучшие интеллектуальные исследования, 3(1), 56–58. извлечено от https://web-journal.ru/journal/article/view/414
Выпуск
Раздел
Articles
