КРЕМНИЙЛИ P-N ѲТИӮИН ИЗЕРТЛЕӮ
Abstract
Анотация: Кѳлемлик заряд областындағы микропазма каналындағы терең қәддилердеги қайта зарядланыӯды иззертлеӯде –микроплазмадағы биринши импульс кернеӯи Uп ҳәм микроплазманың толық қосылыӯы кернеӯиниң температураға байланыслы екенлиги келип шығады. Терең қәддилерде қайта зарядланыӯ парамеьтирлериниң анықланыӯы микроплазма кернеӯиниң турақсызлығының тамамланыӯ аралығының бар екенлиги келип шығады. Тёрең қәддилер концентрациясының микроплазма каналындағы бир қанша орташа мәнисинен жоқары бир қанша қатарларды пайда етеди терең қәдди даӯамында микроплазма каналында эмиссия тезлиги сыйымлылығы қоздырыӯы мүмкин,Сол себепли эмиссия тезлиги электр майданға ғарезли. Микроплазма каналындағы кеңислик заряд областындағы терең қәддилердиң қайта зарядланыӯы Uқос қосылыӯ кернеӯиниң температыӯраға монотон емес турде ғәрезлилигин келтирип шығарады.
References
Коршунов Ф.П.,Марченко И.Г.,Лостовский С.Б.Влияние радиационных де- фектов на лавинный прбой и свойства микроплазм кремниевых p-n пере- ходов.-Вкн.:Тез.докл.Х Всес .конф.по физике полупроводников. Минск,1985, ч.3,с.38-39.
Кузьмин В.А.,Крюкова Н.Н.,КюрегянА.С. Обударной ионизации глубоких уровней в полупроводниках.//ФТП.1974.т.8,в.5.с.945-949.
Тагер А.С.,Вальд-Перлов В.М .Лавинно-пролетные диоды.М.,1968.480 с.
Кузьмин В.А .,Кюрегян А .С.Теория вольтамперной характеристики p+-i-n+-структуры из компенсированного полупроводника в режиме лавинного про- боя –радиотехн.и электрон.,1975.т.20.в.7.с.1449-1456.
Богородский О.В.,ВоронцоваТ.П.,Жгутова О.С.и др .Исследование механизмов снижения напряжения пробоя кремниевых высоковольтных много- слойных структур.-ЖТФ,1985,т.55,в.7,с.1419-1425.
Rosier L.L., Sah S.T.-Sol.St.Electron.,1971,v.14,N1,p.41.
Акимов П.В.,Грехов И.В.,Сережкин Ю.Н.Температурная зависимость напряжения лавинного диодов,изготовленных из кремния с высоким содержанием растворенного кислорода .-ФТП,1975,т.9,в.4.с.764-767
Коршунов В.П.,Марченко И.Г.Влияние электронного облучения при разлычных температурах на напряжение лавинного пробоя кремниевых p-n структур .-ФТП,1982.т.16,в.4,с.751-753
Каршунов В.П.,Марченко И.Г.Особенности изменения температурной зависимости дифференциального сопротивления в области лавинного пробоя облученных Si p-n переходов .-ФТП,1983,т.17,в.12.с.2201-2203.
Астрова Е.В.,Волле В.М.,Воронков В.Б.,Козлов В.А.,Лебедев А.А.,Влияние глубоких уровней на пробивное напржение диодов.-ФТП,1986,т.20,в.11,с.2122-2125
Кондратьев Б.С.,Соболев Н.А.,Челноков В.Е.Темературные зависимость напряжение пробоя микроплазм в высоковольтных p-n структуцрах.-В кн.:Силовые полупроводниковые приборы Таллин,1986,с.15-18.
Челноков В.Е.,Евсеев Ю.А.Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов.М.:1973.280с.
Берман Л.С.,Лебедев А.А.Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.Л.,1981.176с
